金融界2024年4月6日消息，据国家知识产权局公告，上海贝岭股份有限公司申请一项名为“内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法“，公开号CN117832276A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括金属化漏极、N型衬底、N+缓冲层、多层N‑外延层、P型体区、JFET区、P+接触区、N+源区、栅氧化层、N型多晶硅栅极、二氧化硅层间介质、P型多晶硅和金属化源极；JFET区位于两个P型体区的中间；P型多晶硅设于两个N型多晶硅栅极的中间位置，位于JFET区的上方，P型多晶硅与JFET区形成异质结二极管。本公开通过在两个N型多晶硅栅极的中间位置设置P型多晶硅，以与JFET区形成异质结二极管，减小了单个碳化硅MOSFET元胞的面积，增大了沟道密度，增大了电流密度，减小了整个MOSFET的尺寸，降低了工艺成本。

本文源自金融界


                                        
友情提示
本站部分转载文章，皆来自互联网，仅供参考及分享，并不用于任何商业用途；版权归原作者所有，如涉及作品内容、版权和其他问题，请与本网联系，我们将在第一时间删除内容！  
                                        
联系邮箱：1042463605@qq.com